| 型号： | FQT4N25TF | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Fairchild Semiconductor | 描述： | MOSFET N-CH 250V 0.83A SOT-223 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| FQT4N25TF PDF |  |
| 产品培训模块 | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | QFET™ |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 830mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 1.75 欧姆 @ 415mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 5.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 200pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2.5W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装 | SOT-223-4 |
| 包装 | 标准包装 |
| 其它名称 | FQT4N25TFDKR |